20조원 투입 2030년까지 완공
차세대 HBM 등 전 영역 개발
화성·평택 잇는 초격차 기지로
자사주 효과에 힘…주가 6%↑
|
NRD-K 단지에는 하이(High)-NA EUV 장비와 1000단 V낸드 개발에 필요한 최첨단 웨이퍼본딩 인프라 등이 들어간다. 차세대 HBM 개발도 이곳에서 이뤄질 전망이다. 삼성은 이 단지에 2030년까지 20조원을 투입, 반도체 기술 초격차를 이어갈 새로운 R&D 기지로 키운다는 계획이다.
삼성전자는 18일 경기도 용인 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 'NRD-K' 설비 반입식을 개최했다.
이날 반입식에는 전영현 부회장(DS부문 총괄)과 DS부문 주요 사업부장, 어플라이드 머티어리얼즈 등 장비협력사 관계자, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다.
전영현 부회장은 기념사를 통해 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 강조했다.
NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 추진하는 최첨단 복합 연구개발 단지다. 10만9000㎡(3만3000여 평) 규모에 ph1~3 등 세 라인으로 지어진다. 이날 설비 반입을 한 ph1은 내년 중순부터 본격 가동에 들어가고, 나머지 2개 라인은 2030년까지 완공될 예정이다. 삼성전자는 이 단지 조성에 역대 최대 규모인 20조원을 투입한다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 모든 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 전망이다.
특히 차세대 메모리 개발을 위한 하이-NA EUV 노광설비 등 최첨단 장비가 여기에 설치된다. 1000단 V낸드 개발에 필요한 본딩 인프라도 구축된다.
삼성전자 관계자는 "공정 미세화의 한계를 극복할 수 있는 신소재·신구조에 대한 R&D를 강화하고, 반도체 미세화에 유리한 차세대 EUV 기술을 조기에 도입하는 등 첨단기술을 선제적으로 적용할 방침"이라며 "기술력과 조직 간 시너지를 극대화할 계획"이라고 설명했다.
NRD-K가 주목받는 건 '기흥'이 갖는 상징성 때문이다. 기흥캠퍼스는 1983년 2월 이병철 창업회장의 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 곳이다. 1992년 세계 최초 64Mb D램 개발, 1993년 메모리 반도체 1위 등을 일궈낸 반도체 성공 신화의 산실이다. 현재는 약 44만평 규모 단지에 파운드리 8인치·12인치 라인, LED 라인 등이 가동 중이다.
|
한편 이날 삼성전자 주가는 반등에 성공했다. 지난 15일 10조원 규모의 자사주 매입 계획을 내놓은 데 힘입어 이날 5만6700원으로 장을 마감했다. 전 거래일보다 5.98% 상승했다.