SK하이닉스, 차세대 ‘HBM4E’ 샘플 넘겼다…美 ADR 성공적 상장 마중물 될까

최대 16Gbps 처리 속도 에너지 효율 20% 개선
차세대 HBM 비전 미국 ADR 성공 흥행 모멘텀

SK하이닉스가 선점한 고부가가치 HBM(고대역폭메모리) 시장의 주도권을 차세대까지 이어갈 수 있을까. 또 이를 바탕으로 올리는 천문학적 수익과 비전을 반영해 글로벌 시장에서 그 몸값을 온전히 평가 받을 수 있을까.

이를 실현하기 위한 SK하이닉스의 올해 최대 승부처는 경쟁력 있는 HBM4E 개발과 미국 주식예탁증서(ADR) 상장이다. 삼성전자와 치열한 기술 속도전 속 미국 증시 ADR 성공적 상장은 함께 맞물려 돌아가는 톱니로 볼 수 있다. 미국 ADR 상장은 AI 최대 시장 미국에서 기업 가치를 재평가받는 기회이자, 연구개발 및 시설 투자를 위한 자금을 조달하는데도 주요한 역할을 할 전망이다. 반대로 차세대 HBM4E 주도권에 대한 비전은 미국 ADR의 성공적 흥행을 이끌 모멘텀이다.

18일 SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. HBM4E는 HBM4의 바로 다음 세대 제품으로, 삼성전자가 지난달 말 세계 최초로 샘플을 출하한 바 있다. 한 달도 안된 시점에 SK하이닉스도 샘플을 내놓으면서 차세대 HBM 부문에서 양 사가 치열한 속도전을 이어가게 된 것이다.

SK하이닉스는 HBM4E에 대해 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해 AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다고 소개했다.

안현 SK하이닉스 개발 총괄 사장은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.

상반기를 삼성전자와의 HBM4E 주도권 쟁탈전으로 마무리한 SK하이닉스는 하반기 미국에서 마이크론과의 몸값 경쟁을 진행할 것으로 보인다.

SK하이닉스의 ADR 상장 예상 시점은 오는 7월 이후다. AI 최대 시장 미국에서 기업 가치를 재평가 받겠다는 목표가 가장 크다. 미국 현지에서의 비교군은 마이크론인데 지난 1분기 기준 영업이익 창출력은 SK하이닉스가 마이크론보다 높았다.

업계에서는 SK하이닉스가 ADR을 통해 40조원을 조달할 것으로 보고 있다. 기업가치 재평가 외에도 SK하이닉스가 목표로 하는 순현금 100조원 확보에 힘을 실어주는 계기가 될 수 있다. 충분한 현금을 바탕으로 천문학적 시설투자와 R&D 비용을 계속 늘릴 수 있기 때문이다.

실제로 SK하이닉스의 R&D 비용 추이는 지난해 35.9%나 늘린 6조7325억원을 기록했으며, 올 1분기에는 전년대비 65.2% 증가한 2조5505억원을 투입한 바 있다. 이같은 추이는 패권 경쟁을 하고 있는 글로벌 기업들의 공통적인 추세다. 마이크론도 뉴욕주 시러큐스 북쪽 클레이에 반도체공장을 설립하기 위해 향후 20년간 최대 1000억달러(약 152조원)를 투자하기로 했으며, 공장을 포함해 미국 내 메모리 생산과 연구·개발(R&D) 확대를 위해 총 2000억달러(약 305조원)를 투자할 계획이다.

한편 SK하이닉스의 주가는 이날 6.51% 상승하면서 전날에 이어 최고가인 268만5000원에 마감했다. 증권가에서는 목표주가를 380만원까지도 내놓고 있다. 올 2분기 예상 영업이익은 약 63조원으로 영업이익률은 무려 76%를 기록할 것이라는 전망이 나온다.