신기술 역량 강화전략 성과
CTF기반 96단…연내 생산
기존 72단보다 크기 줄이고
읽기쓰기 성능은 30% 향상
신제품 탑재 SDD도 올해 첫선
CTF기반 96단…연내 생산
기존 72단보다 크기 줄이고
읽기쓰기 성능은 30% 향상
신제품 탑재 SDD도 올해 첫선
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특히 SK하이닉스는 D램에 비해 낸드플래시의 시장 지배력이 부족하다는 약점이 있어 관련 사업 경쟁력을 강화하려는 시도를 지속하고 있다. 시장조사기관 가트너에 따르면 지난해 세계 메모리 시장은 1303억 달러 규모로, 이 중 낸드플래시가 537억 달러(D램 721억 달러)로 41%를 차지해 놓칠 수 없는 시장이다.
4일 SK하이닉스가 밝힌 신기술은 CTF 기반 96단 4D 낸드플래시다. 낸드플래시는 IT 기기의 저장 장치다. SK하이닉스는 “3D 낸드플래시에 주로 적용되는 차지 트랩 플래시(CTF) 구조에 페리 언더 셀(PUC) 기술을 결합한 ‘96단 512기가비트급 트리플 레벨 셀(TLC) 4D 낸드플래시’를 세계 최초로 개발했다”고 밝혔다.
신제품은 연내 초도 양산을 시작하고, 향후 최근 준공한 M15에서도 본격 양산에 돌입한다.
CTF는 기존 2D 낸드에서 주로 채용했던 ‘플로팅 게이트’의 한계를 극복하기 위해 셀 간의 간섭을 최소화함으로써 성능과 생산성을 혁신적으로 개선한 기술로, 대부분 메모리 업체들이 3D 낸드에 채용하고 있다.
PUC는 데이터를 저장하는 셀 영역 하부에 셀 작동을 관장하는 주변부 회로를 배치하는 기술이다.
SK하이닉스는 CTF 기반에서는 처음으로 PUC 기술을 도입했다는 차별성을 강조하기 위해 이 제품의 이름에 ‘4D’를 붙였다고 설명했다.
이 제품은 기존의 72단 512기가비트 3D 낸드보다 칩 크기는 30% 이상 줄었고, 웨이퍼당 비트 생산은 1.5배 수준으로 늘었다. 또 동시 처리 가능한 데이터는 업계 최고 수준인 64킬로바이트에 달하며, 쓰기·읽기 성능도 72단 제품보다 각각 30%와 25% 향상됐다.
회사 측은 칩 크기가 줄어들었기 때문에 1개로 기존 256기가비트 3D 낸드 2개를 완벽하게 대체할 수 있어 생산원가 측면에서 유리하다고 강조했다.
그간 SK하이닉스의 사업구조는 D램에만 편중돼 낸드플래시가 상대적으로 약하다는 지적이 나왔다. 그러나 지난달 청주 반도체 신공장 M15 준공에 이어 이번 신기술 등으로 현재 세계 5위 수준인 낸드플래시 점유율을 보다 확대하겠다는 방침이다.
SK하이닉스는 신기술을 적용한 제품으로 타 글로벌 업체와 기술 격차를 벌리고, IT 발달에 따른 새로운 수요에 선제적으로 대응해 불황을 넘겠다는 전략을 세운 것으로 해석된다.
SK하이닉스는 이번에 개발한 4D 낸드 제품을 탑재한 1TB(테라바이트) 용량의 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 올해 안에 선보이기로 했다. 72단 기반 기업용 SSD도 내년에 96단으로 전환해 경쟁력을 강화한다는 전략이다. 96단 4D 낸드 기반의 1테라비트급 TLC와 1테라비트급 쿼드 레벨 셀(QLC) 제품도 내년 출시할 예정이다.
낸드플래시는 최근 D램과 더불어 하락세를 지속하고 있지만, 내년 하반기부터 다시 수요가 늘 것이란 분석이 나온다.
현재 메모리카드와 USB 등에 사용되는 128Gb MLC 제품은 지난 9월 3.8% 떨어진 데 이어 지난달에는 또다시 6.51% 하락하며 4.74달러를 기록했다. 64Gb MLC도 전달보다 5.8% 하락한 3.25달러를 기록했으며, 프리미엄급인 SLC는 32Gb급이 13.2달러로 한 달 새 12.8%나 급락했다. SK하이닉스로서는 업황 부진 위기를 기술력으로 극복한다면 이후 판가 상승 호황기 주도권 다툼에서 유리한 고지에 설 수 있는 기회가 될 전망이다.
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